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      IGBT模塊

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      香港
      源頭工廠
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      • 型號/規格:

        L6574D013TR

      • 品牌/商標:

        ST(意法半導體)

      • 環保類別:

        普通型

      • 封裝:

        SOP-16

      • 型號/規格:

        NCE07TD60BK

      • 品牌/商標:

        NCE新潔能

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 集電極發射極電壓:

        600V

      • 門發射極電壓:

        ±30v

      • 集電極電流:

        14A

      • 型號/規格:

        MSK4300-HD

      • 品牌/商標:

        MSK

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 電機電源電壓:

        75伏

      • 輸出開關能力:

        10安培

      • 批次:

        最新批次

      • 備注:

        進口原裝正品

      • 型號/規格:

        APTGT50SK170T1G

      • 品牌/商標:

        Microsemi

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 集電極—發射極最大電壓 VCEO:

        1.7 kV

      • 在25 C的連續集電極電流:

        75 A

      • 柵極—射極漏泄電流:

        400 nA

      • Pd-功率耗散:

        312 W

      • 型號/規格:

        KGF75N60KDB-U/P

      • 品牌/商標:

        KEC

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 包裝方式:

        管帶包裝

      • 封裝:

        TO-247

      • 型號/規格:

        PRIME2

      • 品牌/商標:

        INFINEON(英飛凌)

      • 環保類別:

        普通型

      • 單位重量:

        825 g

      • 寬度:

        89 mm

      • 型號/規格:

        CM400DY-24A

      • 品牌/商標:

        MITSUBISHI(三菱)

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 批次:

        18+

      • 封裝:

        MODULE

      • 型號/規格:

        SKM400GA12T4

      • 品牌/商標:

        SEMIKRON(西門康)

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 型號/規格:

        2MBI50F-050

      • 品牌/商標:

        FUJI

      • 環保類別:

        普通型

      • 型號/規格:

        IRGB15B60KD

      • 品牌/商標:

        IR

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 電流:

        15A

      • 電壓:

        600V

      • 型號:

        GB15B60KD

      • 廠家:

        IR

      • 型號/規格:

        CM100DY-24A

      • 品牌/商標:

        MITSUBISHI(三菱)

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 封裝:

        IGBT模塊

      • 數量:

        680

      • 倉庫:

        深圳

      • 型號/規格:

        AP85GT33SW

      • 品牌/商標:

        AP/富鼎

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 型號/規格:

        MG50Q6ES40

      • 品牌/商標:

        TOSHIBA(東芝)

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 數量:

        220

      • 型號/規格:

        2單元300A500V

      • 品牌/商標:

        FUJI

      • 環保類別:

        普通型

      • 型號/規格:

        AP20N15GI-HF

      • 品牌/商標:

        APEC臺灣富鼎

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 批號:

        18+

      • 數量:

        12500

      • 封裝:

        TO-220CFM

      • 型號/規格:

        7MBR25SA-120-50

      • 品牌/商標:

        FUJITSU(富士通)

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 型號/規格:

        SKIIP2013GB172-4DL

      • 品牌/商標:

        INFINEON(英飛凌)

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 年份:

        16+

      • 品質:

        原裝正品

      • 數量:

        236

      • 型號/規格:

        IKW25N120T2

      • 品牌/商標:

        IR

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 標準包裝:

        240

      • 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):

        1200V

      • 集電極電流(Ic)(最大):

        50A

      • 功率 - 最大:

        349W

      • 型號/規格:

        FS225R12KE3/AGDR-82C

      • 品牌/商標:

        ABB

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 價格:

        12660.0

      • 上海艾斯達電子
      • 供應商等級:
      • 企業類型:經銷商
      • 地區:上海上海市
      • 電話:021-51035787

        手機:13764678882

      • 型號/規格:

        PKC2135PIE

      • 品牌/商標:

        ERICSSON

      • 環保類別:

        無鉛環保型

      • 封裝:

        模塊

      • 批號:

        18

      IGBT模塊行業資訊

      什么是IGBT模塊?

      •   IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P 型區(包括P+ 和P 一區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區( Subchannel region )。而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能區,與漏區和亞溝道區一起形成PNP 雙極晶體管,起發射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調制,以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。 IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進行電導調制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態電壓。
      • IGBT模塊

      IGBT模塊技術資料

      • IGBT模塊封裝流程原理圖

        IGBT模塊封裝是將多個IGBT集成封裝在一起,以提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性,體積更小、效率更高、可靠性更高是市場對IGBT模塊的需求趨勢,這就有待于IGBT模塊封裝技術的開發和運用。目前流行的IGBT模塊封裝形式有引線型、焊針型、平板式、圓盤式四種,常見的模塊封裝技術有很多,各生產商...

      • 適用于高頻開關的高速IGBT模塊特點介紹

        如今節能的重要性日益顯著,將IGBT模塊用作開關器件的應用領域也不斷拓展。為提高電能變換器的效率,研究者提出了很多新型拓撲電路,因而市場上對IGBT模塊的需求也隨之不斷攀升。另一方面,由于IGBT的性能已經接近“硅限”,所以需要一種面向應用的IGBT模塊設計。就是說,我們要專門為這些電...

      • IGBT模塊使用中的注意事項

        由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:   在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先...

      電子元器件產品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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